據CFM快閃記憶體市場釋出最新報告顯示，2025年年初至今，NAND Flash市場綜合價格指數上漲9.2%，DRAM市場綜合價格指數上漲47.7%。在AI驅動的記憶體升級浪潮、原廠保利潤的供應策略與下遊長尾剛性需求的疊加作用下，預計將推動2025年DRAM市場創下歷史新高。
光大證券分析稱，儲存芯片漲價是供給側收縮與AI需求共振的結果。
供給端，三星、美光等原廠逐步停產DDR4/LPDDR4X，將產能轉向HBM、DDR5等高附加值產品（如美光停產DDR4後轉向1-gamma節點生產HBM和LPDDR5），導致成熟制程DRAM供應缺口達15%~20%，LPDDR4X價格預計三季度將環比漲超20%。
需求端，AI驅動儲存升級：AI伺服器方面，HBM因高頻寬成為AI伺服器標配，預計2025年需求同比+117%，DDR5需求增212%；企業級SSD需求占比將升至31%；端側套用方面，AI手機推動LPDDR5X需求增427%，24GB+1TB組合成主流；AI PC拉動單機DRAM容量年增12.4%（64GB漸成標配）。
展望後市，儲存芯片的量價齊升的趨勢有望延續至2026年；其中，受益AI快速發展，HBM需求強勁，全球HBM市場規模快速提升，預計HBM市場規模在DRAM中的占比有望從2023年的8%提升至2025年的34%。
落腳到A股市場，受益於供應端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，儲存芯片產業鏈有望探底回升，關註儲存芯片龍頭企業以及HBM產業鏈相關企業。
本文源自金融界
