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格羅方德取得具有嵌埋於開關層內的導電島的電阻式記憶體元件專利

2025-06-11科學

金融界2025年6月10日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，新加坡商格羅方德半導體私人有限公司取得一項名為「具有嵌埋於開關層內的導電島的電阻式記憶體元件」的專利，授權公告號CN114122053B，申請日期為2021年09月。

本文源自金融界

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