金融界2025年1月11日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，長鑫儲存技術有限公司取得一項名為「導電層的形成方法、導電結構及其形成方法」的專利，授權公告號 CN 113889414 B，申請日期為 2020 年 7 月 。
天眼查資料顯示，長鑫儲存技術有限公司，成立於2017年，位於合肥市，是一家以從事電腦、通訊和其他電子裝置制造業為主的企業。企業註冊資本2388760.15663萬人民幣，實繳資本2388760.15663萬人民幣。透過天眼查大數據分析，長鑫儲存技術有限公司參與招投標計畫376次，智慧財產權方面有商標資訊2條，專利資訊5000條，此外企業還擁有行政授權45個。
本文源自金融界
